光刻 Contact Aligner 1:1 最小线宽：1um 对准精度：1um（顶部对准）& 2um（底部对准） 兼容4英寸和6英寸晶圆 Lift-Off	键合 Si-Glass阳极键合 Si-Si直接键合 Glass-Si-Glass三层键合 Si-Glass-Si三层键合 金属共晶键合 热压键合 粘结剂键合
干法刻蚀 深硅刻蚀（深宽比高于35:1） 金属刻蚀（Au、Ti） Poly Si刻蚀 SiO2刻蚀 SiN刻蚀 Si牺牲层释放（气相XeF2）	湿法腐蚀 晶圆清洗（RCA标准清洗） 光刻胶去除（硫酸、去胶液） 金属腐蚀（Au、Cr、Al、Ni、TiN） SiO2腐蚀 SiN腐蚀 厚金属剥离 KOH/TMAH腐蚀台阶 KOH/TMAH硅片减薄
金属膜工艺 溅射Ti、Pt、Au、Al、Cu、Cr 溅射AlN、TiN、ITO 蒸发Ti、Pt、Au、Al、Ni、Cr 电镀Au、Cu、Ni、合金	薄膜工艺 热生长SiO2 PECVD 沉积SiO2 PECVD 沉积 SiN LPCVD 生长SiN LPCVD 生长SiO2 LPCVD 生长Poly Si
掺杂注入 硼注入 磷注入 硼扩散 磷扩散	封装测试 自动划片 手动贴片 引线键合 SEM 白光干涉 膜厚台阶测量 应力分析 电学性能量测 3D成像测量